其它条件不变时，由于电源电压在规定范围内变化引起的相对于规定的电源电压时的频率偏移。11）老化率（长期频率稳定度）(Aging,longtermstability)振荡器频率与时间之间的关系。注:这种频率漂移是石英晶体或/和电路中的其它元器件的长期变化造成的，可以用规定时间间隔内平均频率的相对变化来表示。
CIMAKE晶振
温补晶振（TCXO）：是在晶振内部采取了对晶体频率温度特性进行补偿，以达到在宽温温度范围内满足稳定度要求的晶体振荡器。一般模拟式
温补晶振采用热敏补偿网络。补偿后频率稳定度在10-7~10-6量级，由于其良好的开机特性、优越的性能价格比及功耗低、体积小、环境适应性较强等多方面优点，因而获行了广泛应用CIMAKE晶振
。它有好几种不同的类型：电压控制晶体振荡器（VCXO）、温度补偿晶体振荡器（TCXO）、恒温晶体振荡器（OCXO），以及数字补偿晶体振荡器（MCXO或DTCXO），每种类型都有自己的独特性能。如果您需要使您的设备即开即用，您就必须选用VCXO或
温补晶振，如果要求稳定度在1ppm以上，则需选择数字
温补晶振（MCXO）。模拟
温补晶振只适用于稳定度要求在5ppm～1ppm之间的需求。VCXO只适合于稳定度要求在5ppm以下的产品。在不需要即开即用的环境下，如果需要信号稳定度超过0.1ppm的，可选用OCXO。全球硅振荡器市场它主要受微处理器，开关稳压器时钟，可编程门阵列(PGA)和专用集成电路(ASIC)等广泛应用的驱动。基于微机电系统(MEMS)谐振器的振荡器因其精度和稳定性可与大多数晶体电路相匹配而被用于各种应用中。且与晶体振荡器相比，它们具有更高的可靠性，更小的尺寸，更高的耐用性以及更低的成本，而晶体振荡器有望在预测期内补充全球硅振荡器市场的显着增长。MEMS振荡器尚未完全占领烤箱控制晶体振荡器和温度补偿晶体振荡器的市场空间。这些产品的制造使用标准的CMOS硅技术，与需要专门制造和封装技术的晶体振荡器相比，它们制造起来更容易，更便宜。
CIMAKE晶振晶振在应用具体起到的作用，微控制器的时钟源可以分为两类：基于机械谐振器件的时钟源，如晶振、陶瓷谐振槽路；RC（电阻、电容）振荡器。一种是皮尔斯振荡器配置，适用于晶振和陶瓷谐振槽路。另一种为简单的分立RC振荡器。基于晶振与陶瓷谐振槽路的振荡器通常能提供非常高的初始精度和较低的温度系数。RC振荡器能够快速启动，成本也比较低，但通常在整个温度和工作电源电压范围内精度较差，会在标称输出频率的5%至50%范围内变化其实贴片晶振温度补偿晶体振荡器是通过附加的温度补偿电路使由周围温度变化产生的振荡频率变化量削减的一种石英晶体振荡器。温度补偿晶体振荡器中，对石英晶体振子频率温度漂移的补偿方法主要有直接补偿和间接补偿两种类型：。但其性能受环境条件和电路元件选择的影响。需认真对待振荡器电路的元件选择和线路板布局。在使用时，陶瓷谐振槽路和相应的负载电容必须根据特定的逻辑系列进行优化。具有高Q值的晶振对放大器的选择并不敏感，但在过驱动时很容易产生频率漂移（甚至可能损坏）。影响振荡器工作的环境因素有：电磁干扰（EMI）、机械震动与冲击、湿度和温度。这些因素会增大输出频率的变化，增加不稳定性，并且在有些情况下，还会造成振荡器停振。上述大部分问题都可以通过使用振荡器模块避免。这些模块自带振荡器、提供低阻方波输出，并且能够在一定条件下保证运行。最常用的两种类型是晶振模块和集成RC振荡器（硅振荡器）。晶振模块提供与分立晶振相同的精度。硅振荡器的精度要比分立RC振荡器高，多数情况下能够提供与陶瓷谐振槽路相当的精度。
CIMAKE晶振
温补晶振，TCXO，普通的振荡器百内置温度曲线补偿电路，频率稳定度可以做到+/-0.5ppm，一般的也能度做到+/-2ppmCIMAKE晶振原材料的选择石英晶振是由晶片、支架、导电胶、引脚、陶瓷基座和外壳组成，在原材料选择中，卡斯电子都全部通过SGS认证，从原料、生产、性能，、外观等方面严格检控。。消耗电流一般小于几十问mA。是最常见的高精度的产品。在通讯终端中很常见。
恒温晶振，OCXO，在特制答的晶体周围包有振荡电路和恒温电路，频率稳定度可回以达到+/-0.01ppm。消耗答电流一般300mA~2A。主要应用于卫星，通讯基站等。
