并联电路并联谐振振荡器电路是用晶体设计的，该晶体可以在特定的负载电容下工作。这会导致晶体振荡器以高于串联谐振频率但低于真正的并联谐振频率的频率工作。为了完成这种类型的电路中的反馈环路，必须设计通过晶振的路由。如果晶体失效，电路将不再振荡。那么确定振荡器频率的“负载电容”从何而来呢?该电路实际上使用了一个孤立的逆变器，该逆变器在反馈环路中具有两个电容，这些电容包含了负载电容。如果负载电容改变，振荡器产生的频率也会改变。
KDS晶振
温补晶振（TCXO）：是在晶振内部采取了对晶体频率温度特性进行补偿，以达到在宽温温度范围内满足稳定度要求的晶体振荡器。一般模拟式
温补晶振采用热敏补偿网络。补偿后频率稳定度在10-7~10-6量级，由于其良好的开机特性、优越的性能价格比及功耗低、体积小、环境适应性较强等多方面优点，因而获行了广泛应用KDS晶振
。它有好几种不同的类型：电压控制晶体振荡器（VCXO）、温度补偿晶体振荡器（TCXO）、恒温晶体振荡器（OCXO），以及数字补偿晶体振荡器（MCXO或DTCXO），每种类型都有自己的独特性能。如果您需要使您的设备即开即用，您就必须选用VCXO或
温补晶振，如果要求稳定度在1ppm以上，则需选择数字
温补晶振（MCXO）。模拟
温补晶振只适用于稳定度要求在5ppm～1ppm之间的需求。VCXO只适合于稳定度要求在5ppm以下的产品。在不需要即开即用的环境下，如果需要信号稳定度超过0.1ppm的，可选用OCXO。二、电源和负载石英晶体振荡器的频率稳定性亦受到振荡器电源电压变动以及振荡器负载变动的影响.正确选择振荡器可将这些影响减到最少.设计者应在建议的电源电压容差和负载下检验振荡器的性能.不能期望只能额定驱动15pF的振荡器在驱动50pF时会有好的表现.在超过建议的电源电压下工作的振荡器亦会呈现较差的波形和稳定性.对于需要电池供电的器件,一定要考虑功耗.引入3.3V的产品必然要开发在3.3V下工作的振荡器.较低的电压允许产品在低功率下运行.
KDS晶振晶振的作用是为系统提供基本的时钟信号。通常一个系统共用一个晶振，便于各部分保持同步。有些通讯系统的基频和射频使用不同的晶振，而通过电子调整频率的方法保持同步为了能让广大新老客户更好的了解
温补晶振性能，我们把
温补晶振补偿原理做了个简单的测试。
温补晶振由石英晶体振荡电路和温度补偿网络两部分组成。典型的
温补晶振原理示意图。振荡器的频率温度特性主要由晶体谐振器的频率温度特性决定。常用的AT切晶体谐振器的频率温度特性为三次曲线，
温补晶振温度补偿的原理就是通过改变振荡回路中的负载电容，使其随温度变化来补偿谐振器由于环境温度变化所产生的频率漂移。。晶振通常与锁相环电路配合使用，以提供系统所需的时钟频率。如果不同子系统需要道不同频率的时钟信号，可以用与同一个晶振相连的不同锁相环来提供。
KDS晶振二、
温补晶振的发展趋势低功耗、小型化和精度，一直是
温补晶振的研究课题。在小型化与片式化方面，
温补晶振面临不少挑战与困难，具体主要表现为两点：一是小型化会使石英晶体振子的频率可变幅度变小KDS晶振频率老化是不可避免的。同时方向可能为正也可能为负。又称为日老化率、长稳等。12）短期频率稳定度(Shorttermstability)振荡器短时间内的频率随机起伏程度。注:以秒为单位，又称为秒基稳定度、秒稳、短稳等。，温度补偿更加困难;二是片式封装后在其接作业中，由于焊接温度远高于
温补晶振的最大允许温度，会使晶体振子的频率发生变化，若不采限局部散热降温措施，难以将
温补晶振的频率变化量控制在±0.5×10-6以下。
