浅析温补晶振TCXO指标

并联电路并联谐振振荡器电路是用晶体设计的，该晶体可以在特定的负载电容下工作。这会导致晶体振荡器以高于串联谐振频率但低于真正的并联谐振频率的频率工作。为了完成这种类型的电路中的反馈环路，必须设计通过晶振的路由。如果晶体失效，电路将不再振荡。那么确定振荡器频率的“负载电容”从何而来呢?该电路实际上使用了一个孤立的逆变器，该逆变器在反馈环路中具有两个电容，这些电容包含了负载电容。如果负载电容改变，振荡器产生的频率也会改变。温补晶振TCXO温补晶振即温度补偿晶体振荡器(TCXO)

用温度补偿的方法减少频率失真，因为振荡器工作时由于电阻的作用(晶体管或者集成电路都有内阻)就会有温升，温度升高对半导体影响很大，会使半导体的工作点发生飘移从而导致振荡频率的变化，这些变化对使用者来说影响很大如无线电通讯、本地时钟(单片机或者电脑)要求频率高度稳定，所以开发商生产出具有温度补偿性能的有源振荡器，这些具有温度补偿的晶体振荡器频率变化非常低，可以长期稳定工作提供高稳定性频率基准。，是通过附加的温度补偿电路使由周围温度变化产生的振荡频率变化量削减的一种石英晶体振荡器。温补晶振TCXO温补晶振TCXO3）频率调谐范围（Frequencyadjustmentrange）用某种可变元件使振荡器频率能够改变的频率范围温补晶振TCXO

2）削峰正弦波（ClippingSine）：负载（Load）、输出幅度（Outputlevel）。3）方波（Square）：又分为MOS和TTL两类输出。负载（Load）、占空比（Dutycycle）、上升/下降时间（Rise/falltime）、。注：调整的目的：1）把频率调到规定调整范围内的任一特定值。2）由于老化和其它条件变化而引起频率偏移后，能够把振荡器频率修正到规定值。

温补晶振TCXO二、温补晶振的发展趋势低功耗、小型化和精度，一直是温补晶振的研究课题。在小型化与片式化方面，温补晶振面临不少挑战与困难，具体主要表现为两点：一是小型化会使石英晶体振子的频率可变幅度变小温补晶振TCXO（1）测试出补偿电压一温度曲线（V-T曲线）；（2）根据V-T曲线数据，计算热敏网络中各电阻的阻值；（3）装配温补网络，测试成品振荡器f-T曲线，评价论证补偿效果。可以看出，获得准确的V-T曲线参数是温补晶振设计生产中的关键环节，直接关系到振荡器频率精度的高低，关系着成品温补晶振品质的优劣。，温度补偿更加困难;二是片式封装后在其接作业中，由于焊接温度远高于温补晶振的最大允许温度，会使晶体振子的频率发生变化，若不采限局部散热降温措施，难以将温补晶振的频率变化量控制在±0.5×10-6以下。