3、输出波形：有正弦波和方波两种。4、输出幅度：在接入额定负载的规定条件下，晶振输出的均方根值电压。5、频率温度特性：当环境温度在规定范围内按预定方式变化时，晶振的输出频率产生的相对变化特性6、压控线性度：指
压控晶振输出频率与压控电压曲线偏离线性的程度。
kds晶振
温补晶振（TCXO）：是在晶振内部采取了对晶体频率温度特性进行补偿，以达到在宽温温度范围内满足稳定度要求的晶体振荡器。一般模拟式
温补晶振采用热敏补偿网络。补偿后频率稳定度在10-7~10-6量级，由于其良好的开机特性、优越的性能价格比及功耗低、体积小、环境适应性较强等多方面优点，因而获行了广泛应用kds晶振
。它有好几种不同的类型：电压控制晶体振荡器（VCXO）、温度补偿晶体振荡器（TCXO）、恒温晶体振荡器（OCXO），以及数字补偿晶体振荡器（MCXO或DTCXO），每种类型都有自己的独特性能。如果您需要使您的设备即开即用，您就必须选用VCXO或
温补晶振，如果要求稳定度在1ppm以上，则需选择数字
温补晶振（MCXO）。模拟
温补晶振只适用于稳定度要求在5ppm～1ppm之间的需求。VCXO只适合于稳定度要求在5ppm以下的产品。在不需要即开即用的环境下，如果需要信号稳定度超过0.1ppm的，可选用OCXO。（4）FLUKE45万用表支持串口程控，用于获取TCXO内部三端稳压器的输出电压VDD,为补偿网络分析计算辅助数据。2.2补偿电压自动测试过程根据系统硬件组成与测试目的要求，补偿电压自动测试过程如下：将未装配补偿网络的待测半成品活件装入高低温箱，连接好各仪器设备，打开电源，运行程序，进行参数设置（如工作电压为8V,中心频率为19.2MHz,测试温度范围为-40~+70℃，10℃步进）；点击开始按钮，程序控制高低温箱自动回0号参考工位，开始降温至-40℃，保温30min后，工位进1,根据1号位活件设置调节程控电源工作电压输出，获取振荡器频率，变化E+,使振荡器频率越来越接近中心频率，直到满足要求，记录此时程控电源的E+即为所测补偿电压结果，同时记录振荡器内为温补网络供电的稳压器输出电压VDD;然后高低温箱轮位进1,移向2号位测量，直到所有工位测试完毕；开始升温10℃至-30℃，保温20min,测试记录数据，完成所有工位测试；继续升温，保温、测量，直至全部温度点测试完毕，一个测试过程完成。
kds晶振晶振在应用具体起到的作用，微控制器的时钟源可以分为两类：基于机械谐振器件的时钟源，如晶振、陶瓷谐振槽路；RC（电阻、电容）振荡器。一种是皮尔斯振荡器配置，适用于晶振和陶瓷谐振槽路。另一种为简单的分立RC振荡器。基于晶振与陶瓷谐振槽路的振荡器通常能提供非常高的初始精度和较低的温度系数。RC振荡器能够快速启动，成本也比较低，但通常在整个温度和工作电源电压范围内精度较差，会在标称输出频率的5%至50%范围内变化
TCXO晶振温度稳定性水平(从5ppm到50ppb)通常是必要的,因为振荡器将独立工作,无论是在没有外部频率参考的系统中的自由运行模式,还是作为固定频率参考TCXO在开环中工作的合成器,用于驱动DDS(直接数字合成),而DDS而不是TCXO被“锁定”到外部参考.。但其性能受环境条件和电路元件选择的影响。需认真对待振荡器电路的元件选择和线路板布局。在使用时，陶瓷谐振槽路和相应的负载电容必须根据特定的逻辑系列进行优化。具有高Q值的晶振对放大器的选择并不敏感，但在过驱动时很容易产生频率漂移（甚至可能损坏）。影响振荡器工作的环境因素有：电磁干扰（EMI）、机械震动与冲击、湿度和温度。这些因素会增大输出频率的变化，增加不稳定性，并且在有些情况下，还会造成振荡器停振。上述大部分问题都可以通过使用振荡器模块避免。这些模块自带振荡器、提供低阻方波输出，并且能够在一定条件下保证运行。最常用的两种类型是晶振模块和集成RC振荡器（硅振荡器）。晶振模块提供与分立晶振相同的精度。硅振荡器的精度要比分立RC振荡器高，多数情况下能够提供与陶瓷谐振槽路相当的精度。
kds晶振无论是
恒温晶振还是
温补晶振无非就是个信号源全球硅振荡器市场它主要受微处理器，开关稳压器时钟，可编程门阵列(PGA)和专用集成电路(ASIC)等广泛应用的驱动。基于微机电系统(MEMS)谐振器的振荡器因其精度和稳定性可与大多数晶体电路相匹配而被用于各种应用中。且与晶体振荡器相比，它们具有更高的可靠性，更小的尺寸，更高的耐用性以及更低的成本，而晶体振荡器有望在预测期内补充全球硅振荡器市场的显着增长。MEMS振荡器尚未完全占领烤箱控制晶体振荡器和温度补偿晶体振荡器的市场空间。这些产品的制造使用标准的CMOS硅技术，与需要专门制造和封装技术的晶体振荡器相比，它们制造起来更容易，更便宜。，为你的设备提供一个时间基准kds晶振。只要你了解它性能指标你就可以相互代用。
