图3.温度补偿实现这一目标的方法随着时间而改变.使用的第一种方法之一是直接补偿技术,其中使用热敏电阻,电容器和电阻器网络来直接控制振荡器的频率.温度的变化导致热敏电阻(图4中的RT1和RT2)发生变化,这会导致网络的等效串联电容发生变化-这反过来会改变晶体上的电容负载,从而导致频率的变化.振荡器.
压控晶振温补晶振（TCXO）：是在晶振内部采取了对晶体频率温度特性进行补偿，以达到在宽温温度范围内满足稳定度要求的晶体振荡器。一般模拟式
温补晶振采用热敏补偿网络。补偿后频率稳定度在10-7~10-6量级，由于其良好的开机特性、优越的性能价格比及功耗低、体积小、环境适应性较强等多方面优点，因而获行了广泛应用
压控晶振
。它有好几种不同的类型：电压控制晶体振荡器（VCXO）、温度补偿晶体振荡器（TCXO）、恒温晶体振荡器（OCXO），以及数字补偿晶体振荡器（MCXO或DTCXO），每种类型都有自己的独特性能。如果您需要使您的设备即开即用，您就必须选用VCXO或
温补晶振，如果要求稳定度在1ppm以上，则需选择数字
温补晶振（MCXO）。模拟
温补晶振只适用于稳定度要求在5ppm～1ppm之间的需求。VCXO只适合于稳定度要求在5ppm以下的产品。在不需要即开即用的环境下，如果需要信号稳定度超过0.1ppm的，可选用OCXO。（4）FLUKE45万用表支持串口程控，用于获取TCXO内部三端稳压器的输出电压VDD,为补偿网络分析计算辅助数据。2.2补偿电压自动测试过程根据系统硬件组成与测试目的要求，补偿电压自动测试过程如下：将未装配补偿网络的待测半成品活件装入高低温箱，连接好各仪器设备，打开电源，运行程序，进行参数设置（如工作电压为8V,中心频率为19.2MHz,测试温度范围为-40~+70℃，10℃步进）；点击开始按钮，程序控制高低温箱自动回0号参考工位，开始降温至-40℃，保温30min后，工位进1,根据1号位活件设置调节程控电源工作电压输出，获取振荡器频率，变化E+,使振荡器频率越来越接近中心频率，直到满足要求，记录此时程控电源的E+即为所测补偿电压结果，同时记录振荡器内为温补网络供电的稳压器输出电压VDD;然后高低温箱轮位进1,移向2号位测量，直到所有工位测试完毕；开始升温10℃至-30℃，保温20min,测试记录数据，完成所有工位测试；继续升温，保温、测量，直至全部温度点测试完毕，一个测试过程完成。
压控晶振一个
温补晶振，可以通过测量温度，然后自动调整外部的匹配电容矩阵（改变接入的电容值）从而使频率变得更准确和稳定。用温度补偿的方法减少频率失真，因为振荡器工作时由于电阻的作用（晶体管或者集成电路都有内阻）就会有温升并联电路并联谐振振荡器电路是用晶体设计的，该晶体可以在特定的负载电容下工作。这会导致晶体振荡器以高于串联谐振频率但低于真正的并联谐振频率的频率工作。为了完成这种类型的电路中的反馈环路，必须设计通过晶振的路由。如果晶体失效，电路将不再振荡。那么确定振荡器频率的“负载电容”从何而来呢?该电路实际上使用了一个孤立的逆变器，该逆变器在反馈环路中具有两个电容，这些电容包含了负载电容。如果负载电容改变，振荡器产生的频率也会改变。，温度升高对半导体影响很大，会使半导体的工作点发生飘移从而导致振荡频率的变化，这些变化对使用者来说影响很大如无线电通讯、本地时钟（单片机或者电脑）要求频率高度稳定，所以开发商生产出具有温度补偿性能的有源振荡器，这些具有温度补偿的晶体振荡器频率变化非常低，可以长期稳定工作提供高稳定性频率基准。
压控晶振一般石英晶体的频率都和温度相关，我们所使用的晶体振荡器，一般是在25度下达到最大精度原材料的选择石英晶振是由晶片、支架、导电胶、引脚、陶瓷基座和外壳组成，在原材料选择中，卡斯电子都全部通过SGS认证，从原料、生产、性能，、外观等方面严格检控。。温度升高，频率增大；温度降低，频率减小
压控晶振。通常如果应抄用在计时中，需要更高的精度，就需要进行温度补偿。比如您知道zhidao，如果增加匹配电容的容值，就能使振荡频率降低。
