变容二极管D两端所加电压（即补偿电压）由温补网络输出，温补网络随温度自动调节输出电压，变容二极管容量随之改变，以抵消谐振器频率随温度的变化，可使输出频率基本不变。从以上原理分析可得
温补晶振补偿过程如下：
高频晶振1、频率准确度，在百标准电源电压，标准负载电容阻抗，基准温度以及其他条件保持不变的情况下，石英晶体振荡器的频率相对与其规定标称值的最大允许偏差不得超过±50高频晶振
。2、温度稳定度，其他规格条件保持不变，在规定温度范围内石英晶体振荡器度输出频率的最大变化量相对于温度范围内输出频率极值之和的允许频偏值。高低电平（“1”and“0”level）。7）工作电流、功耗(Inputcurrent,powerconsumption)8）频率温度稳定度(Frequencystabilityovertemp.)其它条件不变时，由于振荡器工作在规定的温度范围内引起的相对于基准温度时的频率偏移。
高频晶振1、严格按照技术要求的规定，对石英晶体组件进行检漏试验以检查其密封性，及时处理不良品并分析原因；2、压封工序是将调好的谐振件在氮气保护中与外壳封装起来，以稳定石英晶体谐振器的电气性能变容二极管D两端所加电压（即补偿电压）由温补网络输出，温补网络随温度自动调节输出电压，变容二极管容量随之改变，以抵消谐振器频率随温度的变化，可使输出频率基本不变。温补网络补偿电压的测量多为人工手动完成。用小功率直流电压源代替温补网络，改变温度到目标点并保温，然后调节电压源输出，使振荡器输出达到中心频率，此时电压源输出即为该温度点的补偿电压；在各测试温度点重复以上操作，得到一组数据，即V-T曲线数据。这种手动测量方法效率低下，人力成本较高，而且手工记录测试数据，容易产生误差，难以实现精确快速的优质生产。。在此工序应保持送料仓、压封仓和出料仓干净，压封仓要连续冲氮气，并在压封过程中注意焊头磨损情况及模具位置，电压、气压和氮气流量是否正常，否则及时处理。其质量标准为：无伤痕、毛刺、顶坑、弯腿，压印对称不可歪斜。
高频晶振目前
温补晶振的技术水平的提高并没进入到极限，创新的内容和潜力仍较大。其中主要的有两点：一是小型化会使石英晶体振子的频率可变幅度变小高频晶振全球硅振荡器市场它主要受微处理器，开关稳压器时钟，可编程门阵列(PGA)和专用集成电路(ASIC)等广泛应用的驱动。基于微机电系统(MEMS)谐振器的振荡器因其精度和稳定性可与大多数晶体电路相匹配而被用于各种应用中。且与晶体振荡器相比，它们具有更高的可靠性，更小的尺寸，更高的耐用性以及更低的成本，而晶体振荡器有望在预测期内补充全球硅振荡器市场的显着增长。MEMS振荡器尚未完全占领烤箱控制晶体振荡器和温度补偿晶体振荡器的市场空间。这些产品的制造使用标准的CMOS硅技术，与需要专门制造和封装技术的晶体振荡器相比，它们制造起来更容易，更便宜。，温度补偿更加困难；二是片式封装后在其接作业中，由于焊接温度远高于
温补晶振的最大允许温度，会使晶体振子的频率发生变化，若不采限局部散热降温措施，难以将
温补晶振的频率变化量控制在±0.5×10-6以下。
