全球硅振荡器市场它主要受微处理器，开关稳压器时钟，可编程门阵列(PGA)和专用集成电路(ASIC)等广泛应用的驱动。基于微机电系统(MEMS)谐振器的振荡器因其精度和稳定性可与大多数晶体电路相匹配而被用于各种应用中。且与晶体振荡器相比，它们具有更高的可靠性，更小的尺寸，更高的耐用性以及更低的成本，而晶体振荡器有望在预测期内补充全球硅振荡器市场的显着增长。MEMS振荡器尚未完全占领烤箱控制晶体振荡器和温度补偿晶体振荡器的市场空间。这些产品的制造使用标准的CMOS硅技术，与需要专门制造和封装技术的晶体振荡器相比，它们制造起来更容易，更便宜。
CIMAKE晶振
温补晶振是什么？和一般石英晶体振荡器有何区别？经常会有客户这样问到我们。
温补晶振也是一种石英振荡器，与普通石英晶体振荡器不同的是它的精度和稳定性都要高些，它对晶振频率可以起到一个温度补偿的作用CIMAKE晶振
。比如说在某些高温的环境下，有些产品会因为高温出现不良的现象，严重甚至会导致整个产品瘫痪，在这种情况下就会用到
温补晶振。其原理是通过感应周围环境温度，将温度信息做适当变换后控制晶振的输出频率，以求达到稳定输出频率的效果。它可以在天气温度变化中起到一个互相补助的作用，遇到气温低的情况它会根据本身的温度补偿电路来补偿由周围温度变化产生出的振荡频率偏差，从而保护产品的稳定性。调整的方式：3）调节方式有机械调节和电压调节两种4）可变元件通常指变容二极管、多圈电位器等。4）工作温度范围(Operatingtemp.range)振荡器能够正常工作，其频率及其它输出信号性能均不超过规定的允许偏差的温度范围。
CIMAKE晶振
温补晶振内部结构可分为石英晶体振荡回路和温度补偿网络两部分。石英晶体振荡器的频率温度特性主要由晶体谐振器的频率温度特性决定。传统的TCXO是通过采用模拟器件进行补偿，即通过改变振荡回路中的负载电容等模拟器件，使其随温度而变化来补偿晶体谐振器由于环境温度变化所产生的频率漂移二、电源和负载石英晶体振荡器的频率稳定性亦受到振荡器电源电压变动以及振荡器负载变动的影响.正确选择振荡器可将这些影响减到最少.设计者应在建议的电源电压容差和负载下检验振荡器的性能.不能期望只能额定驱动15pF的振荡器在驱动50pF时会有好的表现.在超过建议的电源电压下工作的振荡器亦会呈现较差的波形和稳定性.对于需要电池供电的器件,一定要考虑功耗.引入3.3V的产品必然要开发在3.3V下工作的振荡器.较低的电压允许产品在低功率下运行.。这也叫模拟式温度补偿。随着温度补偿技术的发展，很多采用数字化补偿技术的TCXO逐渐开始出现，这种数字化补偿的
温补晶振又叫DTCXO；还有一种用单片机进行补偿的
温补晶振我们称之为MCXO。数字化补偿技术可实现晶振自动温度补偿，使晶体振荡器频率稳定度非常高。并且能够适应更宽的工作温度范围。但具体的补偿电路比较复杂，成本也较高，只适用于基地站和广播电台等要求高精度化的情况。因此，通常我们使用的都是采用的模拟式间接温度补偿的
温补晶振。
CIMAKE晶振但通过分析与研究，由于精度、低功耗和小型化，仍然是
温补晶振的研究课题。在小型化与片式化方面，面临不少困难，其中主要的有两点：一是小型化会使石英晶体振子的频率可变幅度变小CIMAKE晶振9）负载变化频率稳定度(FrequencystabilityVsvoltage+/-5%)其它条件不变时，由于负载阻抗在规定范围内变化引起的相对于规定的负载条件时的频率偏移。10）电源变化频率稳定度(FrequencystabilityVsLoad+/-10%)，温度补偿更加困难；二是片式封装后在其接作业中，由于焊接温度远高于
温补晶振的最大允许温度，会使晶体振子的频率发生变化，若不采限局部散热降温措施，难以将
温补晶振的频率变化量控制在±0.5×10－6以下。但是，
温补晶振的技术水平的提高并没进入到极限，创新的内容和潜力仍较大。
