并联电路并联谐振振荡器电路是用晶体设计的，该晶体可以在特定的负载电容下工作。这会导致晶体振荡器以高于串联谐振频率但低于真正的并联谐振频率的频率工作。为了完成这种类型的电路中的反馈环路，必须设计通过晶振的路由。如果晶体失效，电路将不再振荡。那么确定振荡器频率的“负载电容”从何而来呢?该电路实际上使用了一个孤立的逆变器，该逆变器在反馈环路中具有两个电容，这些电容包含了负载电容。如果负载电容改变，振荡器产生的频率也会改变。高频晶振当需要标准XO(晶体振荡器)或VCXO(压控晶体振荡器)无法达到的温度稳定性时,TCXO是必需的.温度稳定性是振荡器频率随温度变化的量度,并且以两种方式定义.一种常见的方法是使用“加/减”规格(例如：±0.28ppm对比工作温度范围高频晶振
高低电平（“1”and“0”level）。7）工作电流、功耗(Inputcurrent,powerconsumption)8）频率温度稳定度(Frequencystabilityovertemp.)其它条件不变时，由于振荡器工作在规定的温度范围内引起的相对于基准温度时的频率偏移。,参考25°C-温度范围通常为-40至85°C或-20至70°C).该规范告诉我们,如果我们将25°C的频率设为标称频率,则器件频率将偏离或低于该标称频率不超过0.28ppm.这与指定温度稳定性的第二种方式不同,即使用峰峰值或仅使用没有参考点的正/负值.在第二种情况下,我们不能说我们知道频率会高于或低于频率将会发生多大变化-只是我们知道总的范围是多少.通常,使用来自定义的参考点的正负值来指定设备.（1）测试出补偿电压一温度曲线（V-T曲线）；（2）根据V-T曲线数据，计算热敏网络中各电阻的阻值；（3）装配温补网络，测试成品振荡器f-T曲线，评价论证补偿效果。可以看出，获得准确的V-T曲线参数是
温补晶振设计生产中的关键环节，直接关系到振荡器频率精度的高低，关系着成品
温补晶振品质的优劣。
高频晶振随着各种高端智能产品的火爆,电子元器件也从中分到了一杯羹.晶振是一个典型的例子.晶振是百分之八十以上电子产品的核心命脉.假如没有晶振的支持绝大部分电子相关智能产品将会陷入瘫痪然而引起严重后果.随着电子产品的变化晶振也在不断的更新换代.从以前的大体积到现在的超小超薄型贴片晶振成为市场主流用温度补偿的方法减少频率失真，因为振荡器工作时由于电阻的作用(晶体管或者集成电路都有内阻)就会有温升，温度升高对半导体影响很大，会使半导体的工作点发生飘移从而导致振荡频率的变化，这些变化对使用者来说影响很大如无线电通讯、本地时钟(单片机或者电脑)要求频率高度稳定，所以开发商生产出具有温度补偿性能的有源振荡器，这些具有温度补偿的晶体振荡器频率变化非常低，可以长期稳定工作提供高稳定性频率基准。,在整个变化中对于行业的技术来说是一项极大的挑战.由于市场的需求日本KDS、CITIZEN等大型品牌带领整个行业迈向科技前沿,研发新型技术,更新生产设备,制造高精度晶体来满足市场需求.由于高端智能产品的涌现,对于各种元器件的要求也是极高.
温补晶振、
压控晶振逐步被众多高端市场所选用,但是温补、
压控晶振使技术更加提升,成本也是相对增加.作为一名晶振销售人员,很多采购并不知道在选择晶振的时候该注意哪一些特性.才能够在使用的过程中让产品变得更加稳定.在此我为大家对于一些重要的特性经行了简述:
高频晶振但通过分析与研究，由于精度、低功耗和小型化，仍然是
温补晶振的研究课题。在小型化与片式化方面，面临不少困难，其中主要的有两点：一是小型化会使石英晶体振子的频率可变幅度变小高频晶振图4.直接补偿在随后的开发中(图5中所示的间接补偿),热敏电阻(RT1至RT3)和电阻(R1至R3)的网络用于产生与温度相关的电压.对网络的输出电压进行滤波,然后用于驱动变容二极管,该变容二极管改变晶振上的负载,再次导致频率变化.，温度补偿更加困难；二是片式封装后在其接作业中，由于焊接温度远高于
温补晶振的最大允许温度，会使晶体振子的频率发生变化，若不采限局部散热降温措施，难以将
温补晶振的频率变化量控制在±0.5×10－6以下。但是，
温补晶振的技术水平的提高并没进入到极限，创新的内容和潜力仍较大。
