并联电路并联谐振振荡器电路是用晶体设计的，该晶体可以在特定的负载电容下工作。这会导致晶体振荡器以高于串联谐振频率但低于真正的并联谐振频率的频率工作。为了完成这种类型的电路中的反馈环路，必须设计通过
晶振的路由。如果晶体失效，电路将不再振荡。那么确定振荡器频率的“负载电容”从何而来呢?该电路实际上使用了一个孤立的逆变器，该逆变器在反馈环路中具有两个电容，这些电容包含了负载电容。如果负载电容改变，振荡器产生的频率也会改变。
高频
晶振温补晶振（TCXO）：是在
晶振内部采取了对晶体频率温度特性进行补偿，以达到在宽温温度范围内满足稳定度要求的晶体振荡器。一般模拟式
温补晶振采用热敏补偿网络。补偿后频率稳定度在10-7~10-6量级，由于其良好的开机特性、优越的性能价格比及功耗低、体积小、环境适应性较强等多方面优点，因而获行了广泛应用高频
晶振
。它有好几种不同的类型：电压控制晶体振荡器（VCXO）、温度补偿晶体振荡器（TCXO）、恒温晶体振荡器（OCXO），以及数字补偿晶体振荡器（MCXO或DTCXO），每种类型都有自己的独特性能。如果您需要使您的设备即开即用，您就必须选用VCXO或
温补晶振，如果要求稳定度在1ppm以上，则需选择数字
温补晶振（MCXO）。模拟
温补晶振只适用于稳定度要求在5ppm～1ppm之间的需求。VCXO只适合于稳定度要求在5ppm以下的产品。在不需要即开即用的环境下，如果需要信号稳定度超过0.1ppm的，可选用OCXO。（1）测试出补偿电压一温度曲线（V-T曲线）；（2）根据V-T曲线数据，计算热敏网络中各电阻的阻值；（3）装配温补网络，测试成品振荡器f-T曲线，评价论证补偿效果。可以看出，获得准确的V-T曲线参数是
温补晶振设计生产中的关键环节，直接关系到振荡器频率精度的高低，关系着成品
温补晶振品质的优劣。
高频
晶振TCXO我们俗称
温补晶振，是通过附加的温度补偿电路使由周围温度变化产生的振荡频率变化量削减的一种石英晶体振荡器。从而起到一个温度补偿的作用全球硅振荡器市场它主要受微处理器，开关稳压器时钟，可编程门阵列(PGA)和专用集成电路(ASIC)等广泛应用的驱动。基于微机电系统(MEMS)谐振器的振荡器因其精度和稳定性可与大多数晶体电路相匹配而被用于各种应用中。且与晶体振荡器相比，它们具有更高的可靠性，更小的尺寸，更高的耐用性以及更低的成本，而晶体振荡器有望在预测期内补充全球硅振荡器市场的显着增长。MEMS振荡器尚未完全占领烤箱控制晶体振荡器和温度补偿晶体振荡器的市场空间。这些产品的制造使用标准的CMOS硅技术，与需要专门制造和封装技术的晶体振荡器相比，它们制造起来更容易，更便宜。。比普通石英振荡器还要精确，比如说在北方天气寒冷，有些产品会因为天气的寒冷出现不良的现象，严重会导致整个产品瘫痪，所以就会用到
TCXO晶振，这款
晶振它会在天气温度变化中起到一个互相补助的作用，如果遇到气温低它会根据本身的补偿电路由周围温度变化产生出的振荡频率偏差，从而保护产品的稳定性。
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晶振晶体产业一直数日系最为先进与稳定，其次即为台系
晶振厂商高频
晶振高低电平（“1”and“0”level）。7）工作电流、功耗(Inputcurrent,powerconsumption)8）频率温度稳定度(Frequencystabilityovertemp.)其它条件不变时，由于振荡器工作在规定的温度范围内引起的相对于基准温度时的频率偏移。，国内
晶振厂商正在大力开发2520贴片
晶振的产能之时，日系
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晶振的就已经发展成熟了！
