(1)直接补偿型直接补偿型TCXO是由热敏电阻和阻容元件组成的温度补偿电路，在振荡器中与石英水晶振子串联而成的。在温度变化时，热敏电阻的阻值和晶体等效串联电容容值相应变化，从而抵消或削减振荡频率的温度漂移。该补偿方式电路简单，成本较低，节省印制电路板(PCB)尺寸和空间，适用于小型和低压小电流场合。但当要求晶体振荡器精度小于±1pmm时，直接补偿方式并不适宜。
压控晶振当需要标准XO(晶体振荡器)或VCXO(压控晶体振荡器)无法达到的温度稳定性时,TCXO是必需的.温度稳定性是振荡器频率随温度变化的量度,并且以两种方式定义.一种常见的方法是使用“加/减”规格(例如：±0.28ppm对比工作温度范围
压控晶振
并联电路并联谐振振荡器电路是用晶体设计的，该晶体可以在特定的负载电容下工作。这会导致晶体振荡器以高于串联谐振频率但低于真正的并联谐振频率的频率工作。为了完成这种类型的电路中的反馈环路，必须设计通过晶振的路由。如果晶体失效，电路将不再振荡。那么确定振荡器频率的“负载电容”从何而来呢?该电路实际上使用了一个孤立的逆变器，该逆变器在反馈环路中具有两个电容，这些电容包含了负载电容。如果负载电容改变，振荡器产生的频率也会改变。,参考25°C-温度范围通常为-40至85°C或-20至70°C).该规范告诉我们,如果我们将25°C的频率设为标称频率,则器件频率将偏离或低于该标称频率不超过0.28ppm.这与指定温度稳定性的第二种方式不同,即使用峰峰值或仅使用没有参考点的正/负值.在第二种情况下,我们不能说我们知道频率会高于或低于频率将会发生多大变化-只是我们知道总的范围是多少.通常,使用来自定义的参考点的正负值来指定设备.一般的
恒温晶振要比
温补晶振频率稳定度高两个数量级以上。如
温补晶振一般能达到-7量级，而
恒温晶振可达到-9量级。因此
恒温晶振一般用于高端测量仪器，如频率计、信号发生器、网络分析仪等。而
温补晶振的开机特性较好。
恒温晶振就算采用现在最好的加热元件，也需要一个加温过程。想达到-7量级，怎么也需要5分钟左右，而达-9以上量级甚至需要一天。因此开机即需要工作的设备就不太适合。如武器。试想5分钟导弹已经到达目标，你的晶振还没正常工作怎么用？
压控晶振随着各种高端智能产品的火爆,电子元器件也从中分到了一杯羹.晶振是一个典型的例子.晶振是百分之八十以上电子产品的核心命脉.假如没有晶振的支持绝大部分电子相关智能产品将会陷入瘫痪然而引起严重后果.随着电子产品的变化晶振也在不断的更新换代.从以前的大体积到现在的超小超薄型贴片晶振成为市场主流
TCXO晶振温度稳定性水平(从5ppm到50ppb)通常是必要的,因为振荡器将独立工作,无论是在没有外部频率参考的系统中的自由运行模式,还是作为固定频率参考TCXO在开环中工作的合成器,用于驱动DDS(直接数字合成),而DDS而不是TCXO被“锁定”到外部参考.,在整个变化中对于行业的技术来说是一项极大的挑战.由于市场的需求日本KDS、CITIZEN等大型品牌带领整个行业迈向科技前沿,研发新型技术,更新生产设备,制造高精度晶体来满足市场需求.由于高端智能产品的涌现,对于各种元器件的要求也是极高.
温补晶振、
压控晶振逐步被众多高端市场所选用,但是温补、
压控晶振使技术更加提升,成本也是相对增加.作为一名晶振销售人员,很多采购并不知道在选择晶振的时候该注意哪一些特性.才能够在使用的过程中让产品变得更加稳定.在此我为大家对于一些重要的特性经行了简述:
压控晶振(2)间接补偿型间接补偿型又分模拟式和数字式两种类型。模拟式间接温度补偿是利用热敏电阻等温度传感元件组成温度-电压变换电路，并将该电压施加到一支与晶体振子相串接的变容二极管上，通过晶体振子串联电容量的变化，对晶体振子的非线性频率漂移进行补偿
压控晶振（2）程控电源Agilent3631A支持GPIB接口程控，满足独立双路供电，其中0~6V为E+供电，其分辨率可达2mV以内；0~25V为TCXO系统提供工作电压。（3）数字频率计EE3386A1支持串口程控，用于获取TCXO输出频率。。该补偿方式能实现±0.5ppm的高精度，但在3V以下的低电压情况下受到限制。数字化间接温度补偿是在模拟式补偿电路中的温度—电压变换电路之后再加一级模/数(A/D)，将模拟量转换成数字量。该法可实现自动温度补偿，使晶体振荡器频率稳定度非常高，但具体的补偿电路比较复杂，成本也较高，只适用于基地站和广播电台等要求高精度化的情况。
