变容二极管D两端所加电压（即补偿电压）由温补网络输出，温补网络随温度自动调节输出电压，变容二极管容量随之改变，以抵消谐振器频率随温度的变化，可使输出频率基本不变。温补网络补偿电压的测量多为人工手动完成。用小功率直流电压源代替温补网络，改变温度到目标点并保温，然后调节电压源输出，使振荡器输出达到中心频率，此时电压源输出即为该温度点的补偿电压；在各测试温度点重复以上操作，得到一组数据，即V-T曲线数据。这种手动测量方法效率低下，人力成本较高，而且手工记录测试数据，容易产生误差，难以实现精确快速的优质生产。压控品振VCTCXO温度补偿晶体振荡器温度补偿晶体振荡器（TCXO）是通过附加的温度补偿电路使由周围温度变化产生的振荡频率变化量削减的一种石英晶体振荡器压控品振VCTCXO
另外，石英晶体还有一个重要的特性——温漂。所有的石英晶体材料做成的频率器件，均有一定的温漂。温漂成为影响石英晶体谐振器及石英晶体振荡器频率精度的重要因素。温补钟振(TCXO)，恒温钟振(OCXO)，都是针对晶体的频率温度特性做相应的补偿，频率精度TCXO小于±2.5ppm，OCXO小于±10ppb(1ppb=10-3ppm)，甚至更高。温度补偿，成为弥补石英晶体温漂的重要手段。然而，市面上针对KHZ级别的温补钟振少之又少，其原因，我可以从晶体的切型方面分析。。TCXO中，对石英晶体振子频率温度漂移的补偿方法主要有直接补偿和间接补偿两种类型：（4）FLUKE45万用表支持串口程控，用于获取TCXO内部三端稳压器的输出电压VDD,为补偿网络分析计算辅助数据。2.2补偿电压自动测试过程根据系统硬件组成与测试目的要求，补偿电压自动测试过程如下：将未装配补偿网络的待测半成品活件装入高低温箱，连接好各仪器设备，打开电源，运行程序，进行参数设置（如工作电压为8V,中心频率为19.2MHz,测试温度范围为-40~+70℃，10℃步进）；点击开始按钮，程序控制高低温箱自动回0号参考工位，开始降温至-40℃，保温30min后，工位进1,根据1号位活件设置调节程控电源工作电压输出，获取振荡器频率，变化E+,使振荡器频率越来越接近中心频率，直到满足要求，记录此时程控电源的E+即为所测补偿电压结果，同时记录振荡器内为温补网络供电的稳压器输出电压VDD;然后高低温箱轮位进1,移向2号位测量，直到所有工位测试完毕；开始升温10℃至-30℃，保温20min,测试记录数据，完成所有工位测试；继续升温，保温、测量，直至全部温度点测试完毕，一个测试过程完成。
压控品振VCTCXO1［时域表征］⑴在规定条件下，晶振内部元件由于老化而引起的输出频率随时间的漂移并联电路并联谐振振荡器电路是用晶体设计的，该晶体可以在特定的负载电容下工作。这会导致晶体振荡器以高于串联谐振频率但低于真正的并联谐振频率的频率工作。为了完成这种类型的电路中的反馈环路，必须设计通过晶振的路由。如果晶体失效，电路将不再振荡。那么确定振荡器频率的“负载电容”从何而来呢?该电路实际上使用了一个孤立的逆变器，该逆变器在反馈环路中具有两个电容，这些电容包含了负载电容。如果负载电容改变，振荡器产生的频率也会改变。。通常用某一时间间隔内的老化频差的相对值来量度（如日、月或年老化率等）。⑵日稳定度（或称日波动）：指晶振的输出频率在24小时内的变化情况。通常用其最大变化的相对值来表示。
压控品振VCTCXO未来
温补晶振的发展方向是向小型化、片式化、高精度和高稳定度方向不断发展，实现晶振的低噪声、高频化以及低功耗。近年来，国内的
温补晶振产品水平得到了很大的提高，实现了在室温下精度优于±1ppm，第一年的频率老化率为±1ppm，频率（机械）微调≥±3ppm，电源功耗≤120mw压控品振VCTCXO后一种情况(TCXO是开环,频率在DDS设置)正变得越来越普遍,因为设计人员发现使用DDS解决方案可以通过使用数模转换器控制TCXO来实现更好的频率分辨率.由于转向是在DDS而不是振荡器中完成的,因此设计人员需要能够对固定基准的频率如何随温度变化做出某些假设,以便他们可以相应地规划锁相环的设计.由于灵活性,它们允许TCXO用于许多频率控制应用,但一个重要领域是小型蜂窝基站(毫微微,微型和微微),通常它们被用作定时分配芯片的固定频率源.。最高精度可达±0.05ppm。由此可见，
TCXO晶振的技术水平还有很大的提升空间，创新的内容和潜力还很大。然而，科学技术的发展不能一蹴而就，它将伴随整个电子行业的发展一同前行。
