图3.温度补偿实现这一目标的方法随着时间而改变.使用的第一种方法之一是直接补偿技术,其中使用热敏电阻,电容器和电阻器网络来直接控制振荡器的频率.温度的变化导致热敏电阻(图4中的RT1和RT2)发生变化,这会导致网络的等效串联电容发生变化-这反过来会改变晶体上的电容负载,从而导致频率的变化.振荡器.守时晶振当需要标准XO(晶体振荡器)或VCXO(压控晶体振荡器)无法达到的温度稳定性时,TCXO是必需的.温度稳定性是振荡器频率随温度变化的量度,并且以两种方式定义.一种常见的方法是使用“加/减”规格(例如：±0.28ppm对比工作温度范围守时晶振
4）线性度：理想的压控电压和频率变化量的关系是线性的，但实际上总会有所偏差，这个偏差就是表征理想程度的压控线性度，通常用百分比表示。5）如果系统不能给出稳定的电压信号，或者对输出频率有严格的控制要求时，通常振荡器可以自己给,参考25°C-温度范围通常为-40至85°C或-20至70°C).该规范告诉我们,如果我们将25°C的频率设为标称频率,则器件频率将偏离或低于该标称频率不超过0.28ppm.这与指定温度稳定性的第二种方式不同,即使用峰峰值或仅使用没有参考点的正/负值.在第二种情况下,我们不能说我们知道频率会高于或低于频率将会发生多大变化-只是我们知道总的范围是多少.通常,使用来自定义的参考点的正负值来指定设备.一、频率稳定性晶体振荡器的主要特性之一是工作温度内的稳定性,它是决定振荡器价格的重要因素.稳定性愈高或温度范围愈宽,器件的价格亦愈高.工业级标准规定的-40～+75℃这个范围往往只是出于设计者们的习惯,倘若-30～+70℃已经够用,那么就不必去追求更宽的温度范围.设计工程师要慎密决定特定应用的实际需要,然后规定振荡器的稳定度.指标过高意味着花钱愈多.晶体老化是造成频率变化的又一重要因素.根据目标产品的预期寿命不同,有多种方法可以减弱这种影响.晶体老化会使输出频率按照对数曲线发生变化,也就是说在产品使用的第一年,这种现象才最为显著.
守时晶振1、严格按照技术要求的规定，对石英晶体组件进行检漏试验以检查其密封性，及时处理不良品并分析原因；2、压封工序是将调好的谐振件在氮气保护中与外壳封装起来，以稳定石英晶体谐振器的电气性能全球硅振荡器市场它主要受微处理器，开关稳压器时钟，可编程门阵列(PGA)和专用集成电路(ASIC)等广泛应用的驱动。基于微机电系统(MEMS)谐振器的振荡器因其精度和稳定性可与大多数晶体电路相匹配而被用于各种应用中。且与晶体振荡器相比，它们具有更高的可靠性，更小的尺寸，更高的耐用性以及更低的成本，而晶体振荡器有望在预测期内补充全球硅振荡器市场的显着增长。MEMS振荡器尚未完全占领烤箱控制晶体振荡器和温度补偿晶体振荡器的市场空间。这些产品的制造使用标准的CMOS硅技术，与需要专门制造和封装技术的晶体振荡器相比，它们制造起来更容易，更便宜。。在此工序应保持送料仓、压封仓和出料仓干净，压封仓要连续冲氮气，并在压封过程中注意焊头磨损情况及模具位置，电压、气压和氮气流量是否正常，否则及时处理。其质量标准为：无伤痕、毛刺、顶坑、弯腿，压印对称不可歪斜。
守时晶振无论是
恒温晶振还是
温补晶振无非就是个信号源另外，石英晶体还有一个重要的特性——温漂。所有的石英晶体材料做成的频率器件，均有一定的温漂。温漂成为影响石英晶体谐振器及石英晶体振荡器频率精度的重要因素。温补钟振(TCXO)，恒温钟振(OCXO)，都是针对晶体的频率温度特性做相应的补偿，频率精度TCXO小于±2.5ppm，OCXO小于±10ppb(1ppb=10-3ppm)，甚至更高。温度补偿，成为弥补石英晶体温漂的重要手段。然而，市面上针对KHZ级别的温补钟振少之又少，其原因，我可以从晶体的切型方面分析。，为你的设备提供一个时间基准守时晶振。只要你了解它性能指标你就可以相互代用。
