恒温晶振就算采用现在最好的加热元件，也需要一个加温过程。因此开机即需要工作的设备就不太适合。无论是
恒温晶振还是
温补晶振无非就是个信号源，为你的设备提供一个时间基准。只要你了解它性能指标你就可以相互代用。
高频晶振H、OCXO主要技术指标定义的IEC标准1）标称频率（Nominalfrequency）振荡器标明的工作频率高频晶振
。2）中心频率偏差(Frequencyaccuracy)在基准点温度环境（25±2℃）和中心控制电压时，测得的频率值与标称频率的偏差。2）削峰正弦波（ClippingSine）：负载（Load）、输出幅度（Outputlevel）。3）方波（Square）：又分为MOS和TTL两类输出。负载（Load）、占空比（Dutycycle）、上升/下降时间（Rise/falltime）、
高频晶振
TCXO晶振对工程师非常有用,因为它们可以在比电路板上具有相同功耗和占用空间的标准VCXO更好的温度稳定性的10倍到40倍之间使用.TCXO弥合了标准XO或VCXO与OCXO之间的差距变容二极管D两端所加电压（即补偿电压）由温补网络输出，温补网络随温度自动调节输出电压，变容二极管容量随之改变，以抵消谐振器频率随温度的变化，可使输出频率基本不变。温补网络补偿电压的测量多为人工手动完成。用小功率直流电压源代替温补网络，改变温度到目标点并保温，然后调节电压源输出，使振荡器输出达到中心频率，此时电压源输出即为该温度点的补偿电压；在各测试温度点重复以上操作，得到一组数据，即V-T曲线数据。这种手动测量方法效率低下，人力成本较高，而且手工记录测试数据，容易产生误差，难以实现精确快速的优质生产。,这些差距更高,需要更多功率才能运行.推动技术的目标是降低功耗,当然还要降低成本,因此TCXO为功耗和成本敏感的应用提供了良好的中端解决方案.
高频晶振5、老化:在规定的环境条件下，由于元件老化而引起的输出频率随时专间的系统漂移过程高频晶振一般的
恒温晶振要比
温补晶振频率稳定度高两个数量级以上。如
温补晶振一般能达到-7量级，而
恒温晶振可达到-9量级。因此
恒温晶振一般用于高端测量仪器，如频率计、信号发生器、网络分析仪等。而
温补晶振的开机特性较好。
恒温晶振就算采用现在最好的加热元件，也需要一个加温过程。想达到-7量级，怎么也需要5分钟左右，而达-9以上量级甚至需要一天。因此开机即需要工作的设备就不太适合。如武器。试想5分钟导弹已经到达目标，你的晶振还没正常工作怎么用？。通常用某一时间间隔内的频差来量度。对于高稳定晶振，由于输出频率在较长的工属作时间内呈近似线性的单方向漂移，往往用老化率来量度。
