VCXO晶振该怎么选择电路板设计？

晶振的选择和PCB布局会对VCXO，CLK发生器的性能参数产生一定的影响，VCXO晶振该怎么选择电路板设计？具体的由均特利为你详细的分析和介绍。

VCXO晶振选择晶体时，除了频率、封装、精度和工作温度范围，在VCXO应用中还应注意等效串联电阻和负载电容。串联电阻导致晶体的功耗增大。阻值越低，振荡器越容易起振。负载电容是晶体的一个重要参数，首先，它决定了晶体的谐振频率。一般晶体的标称频率指的是其并联指定负载电容后的谐振频率。应当指出，此处的标称频率是当CL等于指定负载电容时利用公式
1.计算出的值，但不是利用计算出的值1/(2 π √L1C1)。因此，VCXO的调谐范围与CL的值紧密相关。当负载电容值较小时，VCXO的调谐范围限制在上端；同样，电容值较大时，调谐范围将限制在下端。负载电容的适当取值取决于VCXO的特性。例如，MAX9485设计中，为了均衡调谐范围、调谐曲线中点、同时简化电路板设计，我们选择Ecliptek (ECX-5527-27)
2.具有14pf负载电容的27MHz晶体。使用这样的晶体时，MAX9485具有±200ppm的牵引范围。应该指出，封装会导致晶体牵引范围的差异。一般金属壳封装比表贴器件(SMD)的牵引范围更大。但是最近DAISHINKU Corp. [5]生产的一款新SMD晶体可达到与金属壳晶体近似的牵引范围。我们测试了这款SMD晶体(DSX530GA)，发现外接两个4pf的并联电容时可以实现±200ppm频率牵引范围